Transistor MOSFET

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Transistor MOSFET 1. Introduction to Transistor MOSFET 1.1 Definition of Transistor MOSFET 1.2 Basic structure and operation of Transistor MOSFET 2. Types of Transistor MOSFET 2.1 Enhancement-mode MOSFET 2.1.1 Characteristics and operation of Enhancement-mode MOSFET 2.1.2 Applications of Enhancement-mode MOSFET 2.2 Depletion-mode MOSFET 2.2.1 Characteristics and operation of Depletion-mode MOSFET 2.2.2 Applications of Depletion-mode MOSFET 3. Advantages and Disadvantages of Transistor MOSFET 3.1 Advantages of Transistor MOSFET 3.2 Disadvantages of Transistor MOSFET 4. Applications of Transistor MOSFET 4.1 Switching applications 4.2 Amplification applications 4.3 Power electronics applications 5. Conclusion

región de saturación

El transistor MOSFET entra en esta zona cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.

Región de operación

Es cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, más baja y la zona de transición más ancha.

Región de corte

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor.

IGFET

Transistor de efecto el campo para puesta aislada

Existen 2 tipos de transistores MOSFET

Enriquecimiento

Estan los de canal L

Estan los de canal P

Empobrecimiento

Canal N

Canal P

EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación implica que la tensión de entrada y salida del circuito posee una excursión de tensión, elevada (de 0 a VDD) entre los niveles lógicos alto H (asociada a la tensión VDD) y bajo L (asociada a la tensión 0).

región de ruptura

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. Esto hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del drenador.

os transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:

tensión

no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor.

corriente

no se puede superar un valor de corriente
por el drenador, conocido como Idmax.

potencia

este límite viene marcado por Pdmax, y es
la máxima potencia que puede disipar el componente.

región óhmica

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on). el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).

picos de un transistor MOSFET

D

drenador

G

puerta

S

fuente

SB

substrato

esta terminal siempre está conectado o unido ala terminal fuente S

estructura transistor (MOS)

metal M

oxido o aislante O

semiconductor S

un transistor MOSFET es un transistor bipolar ya que el movimiento de carga se produce por la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR

El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrónica digital, para transmitir o no, los estados lógicos a través de un circuito.