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Matériaux

Semi-conducteurs

InGaN

400<λ<500 nm

Sujet secondaire

GaN

<λ<

Gap = 3,4 eV

TiO2

300<λ<400 nm

Gap = 3,2 eV

Dopage

Recuit laser

Plus onéreux

Très précis

Rapide

Transmutation nucléaire

Pas retenu

Implantation ionique

désordre cristallin

Très onéreux

Diffusion

Moins onéreux

peu précis

lent

Orbitale moléculaire

Stabilité des liaisons

Orbitale atomique

Electron libres

Forme géométrique

Formes géométriques

Px, Py, Pz

Phasage, déphasage

Recouvrement

Nombre quantique secondaire

Conversion chaleur et lumière

Conductivité

Structure moléculaire

Orbitales moléculaires

Chevauchement orbitales atomiques

Forme

Semi-conducteur

Petit gap

Isolant

Grand gap

Bande de conduction

Bande de valence

Conducteur

Pas de gap